記者王正平／高雄報導
國立中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先，成功生長六吋導電型4H碳化矽單晶，在長晶爐設備、熱場設計、長晶技術、品質檢驗等環節一百％MIT，奠定晶體生長速度快、穩定性高、成本低等優勢，將透過技轉助攻台灣產業升級，強化全球市場競爭力。
中山大學材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出，晶體研究中心已成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為十九mm，邊緣約為十四mm，生長速度達到三百七十um／hr，「晶體生長速度更快且具重複性」，國內尚無其他研究單位或大學能做得到，標示著第三類半導體碳化矽向前推進的進程。
周明奇表示，包括生長晶體的長晶爐、存放材料的容器坩堝、熱場設計、生長參數及晶體缺陷檢驗等，所有關鍵技術與設備設計、組裝全部MIT，不倚賴國外廠商，上下游一條龍自主培養合作廠商生態鏈，從學術研發鏈結到產業製造，更能撙節研發生產成本。
去年研究團隊導入六吋導電型4H碳化矽長晶爐，已成功生長出六吋單晶；周明奇強調，為了從實驗室邁向工業化，團隊不斷調整生長參數、檢驗晶體品質，今年二月，確認生長的六吋導電型4H碳化矽SiC單晶生長速度更快、穩定性佳且具重複性，確保未來技轉廠商的市場競爭力與獲利優勢。
